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J-GLOBAL ID：200902072046533324   Reference number：92A0782502

Intersubband absorption of infrared radiation in stressed quantum-well In_xGa_1-xAs-GaAs structures.

応力を印加したIn_xGa_1-xAs-GaAs量子井戸構造における赤外放射のサブバンド間吸収

Author (9)： ALESHKIN V YA (N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod) ,  ANSHON A V (N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod) ,  BABUSHKINA T S (N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod) ,  BATUKOVA L M (N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod) ,  DEMIDOV E V (N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod) ,  ZVONKOV B N (N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod) ,  KUNTSEVICH T S (N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod) ,  MALKINA I G (N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod) ,  YAN'KOVA T N (N.I. Lobachevski State Univ., Nizhny Novgorod)
Material： Soviet Physics. Semiconductors  (Sov Phys Semicond)
Volume： 26  Issue： 3  Page： 291-294  Publication year： Mar. 1992 
JST Material Number： T0093A  ISSN： 0038-5700  CODEN： SPSEAX  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B)

Terms in the title (6)： 応力 ,  印加 ,  GaAs ,  量子井戸 ,  赤外放射 ,  サブバンド間吸収