Art

J-GLOBAL ID：200902072655570929   Reference number：84A0284278

Discrete resistance switching in submicrometer silicon inversion layers: Individual interface traps and low-frequency (1/f?) noise.

サブミクロンSi反転層における離散的抵抗スイッチング 個々の界面トラップと低周波(1/f?)雑音

Author (7)： RALLS K S (Bell Lab., New Jersey) ,  SKOCPOL W J (Bell Lab., New Jersey) ,  JACKEL L D (Bell Lab., New Jersey) ,  HOWARD R E (Bell Lab., New Jersey) ,  FETTER L A (Bell Lab., New Jersey) ,  EPWORTH R W (Bell Lab., New Jersey) ,  TENNANT D M (Bell Lab., New Jersey)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 52  Issue： 3  Page： 228-231  Publication year： Jan. 16, 1984 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： flicker noise

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=84A0284278&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0070A") }}

JST classification (2)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  Fluctuation phenomena,random process,Brownian motion,and transport process  (BA08020B)

Terms in the title (7)： サブ ,  Si ,  反転層 ,  抵抗スイッチング ,  界面トラップ ,  低周波 ,  雑音