Art

J-GLOBAL ID：200902077479923650   Reference number：85A0352514

Computer modeling of Si and SiC surfaces and surface processes relevant to crystal growth from the vapor.

気相からの結晶成長に関係するシリコンおよび炭化けい素の表面と表面過程のコンピュータによる模型化

Author (4)： PEARSON E (Stanford Univ., California) ,  TAKAI T (Stanford Univ., California) ,  HALICIOGLU T (Stanford Univ., California) ,  TILLER W A (Stanford Univ., California)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 70  Issue： 1/2  Page： 33-40  Publication year： Dec. 1984 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： vapor phase growth ,...

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JST classification (2)： Surface structure of solids in general  (BK15010E) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (7)： 気相 ,  結晶成長 ,  シリコン ,  炭化けい素 ,  過程 ,  コンピュータ ,  模型化