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J-GLOBAL ID：200902079860912683   Reference number：92A0217051

Chemical vapor deposition of β-SiC on silicon-on-sapphire and silicon-on-insulator substrates.

サファイア上シリコンおよび絶縁体上シリコンの上のベータSiCの化学蒸着

Author (4)： PAZIK J C (Naval Research Lab., Washington, D.C., USA) ,  KELNER G (Naval Research Lab., Washington, D.C., USA) ,  BOTTKA N (Naval Research Lab., Washington, D.C., USA) ,  FREITAS J A JR (Sachs-Freeman Assoc., MD, USA)
Material： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Mater Sci Eng B)
Volume： 11  Issue： 1/4  Page： 125-129  Publication year： Jan. 15, 1992 
JST Material Number： T0553A  ISSN： 0921-5107  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： SOS structure ,...
Semi thesaurus term： propane

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： サファイア ,  シリコン ,  絶縁体 ,  SiC ,  化学蒸着