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J-GLOBAL ID：200902081407439149   Reference number：90A0892503

New advancements in charge-coupled device technology-sub-electron noise and 4096×4096 pixel CCDs.

電荷結合素子技術の進展 サブエレクトロン雑音と4096×4096画素のCCD

Author (7)： JANESICK J (Jet Propulsion Lab., CA) ,  ELLIOTT T (Jet Propulsion Lab., CA) ,  DINGIZIAN A (Jet Propulsion Lab., CA) ,  BREDTHAUER R (Ford Aerospace Corp., CA) ,  CHANDLER C (Ford Aerospace Corp., CA) ,  WESTPHAL J (California Inst. Technology, CA) ,  GUNN J (Princeton Univ., NJ)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 1242  Page： 223-237  Publication year： 1990 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： charge coupled device ,...
Semi thesaurus term： flicker noise

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JST classification (2)： Charge-transfer devices  (NC03130E) ,  Image pickup and picture recording equipment  (ND12032E)

Terms in the title (7)： 電荷結合素子 ,  進展 ,  サブ ,  エレクトロン ,  雑音 ,  画素 ,  CCD