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J-GLOBAL ID：200902081475692758   Reference number：92A0254159

MOMBE growth of P-based III-V semiconductors and its photo-enhancement at low temperatures.

PベースIII-V半導体のMOMBE成長と低温におけるその光促進

Author (5)： YOSHIMOTO M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OZASA K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TSUJI T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAJIMOTO A (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 115  Issue： 1/4  Page： 265-268  Publication year： Dec. 1991 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium phosphide ,...
Semi thesaurus term： 光MOMBE ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： III-V半導体 ,  MOMBE ,  成長 ,  低温 ,  促進