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J-GLOBAL ID：200902082503386079   Reference number：93A0028700

X-ray photoemission analysis and electrical contact properties of NF₃ plasma cleaned Si surfaces.

NF₃プラズマで清浄化したSi表面のX線光電子分光分析および電気的接触の性質

Author (6)： DELFINO M (Varian Assoc., California) ,  CHUNG B-C (Varian Assoc., California) ,  TSAI W (Varian Assoc., California) ,  SALIMIAN S (Varian Assoc., California) ,  FAVREAU D P (AT&T Bell Lab., Pennsylvania) ,  MERCHANT S M (AT&T Bell Lab., Pennsylvania)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 72  Issue： 8  Page： 3718-3725  Publication year： Oct. 15, 1992 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitrogen fluoride ,...

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JST classification (2)： Applications of plasma  (BJ02110K) ,  Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (7)： NF3 ,  プラズマ ,  清浄化 ,  Si ,  X線光電子分光 ,  分析 ,  性質