Art

J-GLOBAL ID：200902087672640199   Reference number：87A0520778

Static-noise margin analysis of MOS SRAM cells.

MOS SRAMセルの定常雑音余裕解析

Author (3)： SEEVINCK E (Philips Research Lab., Eindhoven, NLD) ,  LIST F J (Philips Research Lab., Eindhoven, NLD) ,  LOHSTROH J (Philips Research Lab., Eindhoven, NLD)
Material： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE J Solid-State Circuits)
Volume： 22  Issue： 5  Page： 748-754  Publication year： Oct. 1987 
JST Material Number： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： SRAM ,...

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JST classification (1)： Memory units  (JC04060F)

Terms in the title (5)： MOS ,  SRAM ,  セル ,  雑音余裕 ,  解析