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J-GLOBAL ID：200902089073930211   Reference number：93A0380529

An SPDD p-MOSFET structure suitable for 0.1 and sub 0.1 micron channel length and its electrical characteristics.

0.1μm以下のチャネル長に有効なSPDD pMOSFETの構造とその電気的特性

Author (10)： SAITO M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YOSHITOMI T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  ONO M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  AKASAKA Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NII H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MATSUDA S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MOMOSE H S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KATSUMATA Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  USHIKU Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  IWAI H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1992  Page： 897-900  Publication year： 1992 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： チャネル長 ,  pMOSFET ,  電気的特性