1.54-μm electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy.

ENNEN H; POMRENKE G; AXMANN A; EISELE K; HAYDL W; SCHNEIDER J

Art

J-GLOBAL ID：200902094137840258 Reference number：85A0468332

1.54-μm electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy.

分子ビームエピタキシャル成長したエルビウムをドープしたシリコンの1.54μmエレクトロルミネセンス

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Volume： 46 Issue： 4 Page： 381-383 Publication year： Feb. 15, 1985
JST Material Number： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB Document type： Article
Article type：短報 Country of issue： United States (USA) Language： ENGLISH (EN)

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Luminescence of semiconductors

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