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J-GLOBAL ID：200902094269430407   Reference number：84A0119142

Deep energy levels of defects in the wurtzite semiconductors AlN, CdS, CdSe, ZnS, and ZnO.

ウルツ鉱型半導体AlN,CdS,CdSe,ZnSおよびZnO中の欠陥の深い準位

Author (3)： KOBAYASHI A (Univ. Illinois at Urbana-Champaign) ,  SANKEY O F (Univ. Illinois at Urbana-Champaign) ,  DOW J D (Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 28  Issue： 2  Page： 946-956  Publication year： Jul. 15, 1983 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (2)： Metal-insulator transitions  (BM02110T) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (8)： ウルツ鉱 ,  AlN ,  CdS ,  CdSe ,  ZnS ,  ZnO ,  欠陥 ,  深い準位