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J-GLOBAL ID：200902094285615069   Reference number：92A0225418

Selective and epitaxial deposition of β-FeSi₂ on silicon by rapid thermal processing-chemical vapor deposition using a solid iron source.

固体鉄源を用いた急速熱処理化学蒸着によるシリコン上のβ-FeSi₂の選択エピタキシャル蒸着

Author (4)： REGOLINI J L (Centre National d’Etudes des Telecommunications, Meylan, FRA) ,  TRINCAT F (Centre National d’Etudes des Telecommunications, Meylan, FRA) ,  BERBEZIER I (Centre National d’Etudes des Telecommunications, Meylan, FRA) ,  SHAPIRA Y (Centre National d’Etudes des Telecommunications, Meylan, FRA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 60  Issue： 8  Page： 956-958  Publication year： Feb. 24, 1992 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： chemical vapor deposition ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

Terms in the title (6)： 固体 ,  急速熱処理 ,  化学蒸着 ,  シリコン ,  エピタキシャル ,  蒸着