Art

J-GLOBAL ID：200902096383579545   Reference number：86A0211701

Transient radiation effects in SOI memories.

SOI型記憶素子に及ぼす過渡的放射線の影響

Author (6)： DAVIS G E (Naval Research Lab., Washington DC) ,  HITE L R (Texas Instruments Inc.) ,  BLAKE T G W (Texas Instruments Inc.) ,  CHEN C-E (Texas Instruments Inc.) ,  LAM H W (Texas Instruments Inc.) ,  DEMOYER R JR (U.S. Naval Academy, MD)
Material： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Trans Nucl Sci)
Volume： 32  Issue： 6  Page： 4432-4437  Publication year： Dec. 1985 
JST Material Number： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： LSI ,...
Semi thesaurus term： SOI型LSI記憶素子

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0211701&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0235A") }}

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (3)： SOI ,  記憶素子 ,  放射線