Art

J-GLOBAL ID：200902098932743258   Reference number：92A0500821

Bonding properties of glow-discharge polycrystalline and amorphous Si-C films studied by x-ray diffraction and x-ray photoelectron spectroscopy.

グロー放電による多結晶および非晶質Si-C薄膜の結合特性のX線回折およびX線光電子分光法による研究

Author (3)： TAKESHITA T (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  KURATA Y (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  HASEGAWA S (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 71  Issue： 11  Page： 5395-5400  Publication year： Jun. 01, 1992 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0500821&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： グロー放電 ,  多結晶 ,  非晶質Si ,  薄膜 ,  X線回折 ,  X線光電子分光法 ,  研究