Art

J-GLOBAL ID：200902099694488666   Reference number：90A0473645

Formation of a high quality two-dimensional electron gas on cleaved GaAs.

へき開したGaAs上の高品質二次元電子ガスの形成

Author (7)： PFEIFFER L (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  WEST K W (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  STORMER H L (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  EISENSTEIN J P (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  BALDWIN K W (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  GERSHONI D (AT&T Bell Lab., New Jersey) ,  SPECTOR J (AT&T Bell Lab., New Jersey)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 56  Issue： 17  Page： 1697-1699  Publication year： Apr. 23, 1990 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： cleavage (crystal) ,...

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JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Solid-state plasmas  (BM02160W)

Terms in the title (4)： へき開 ,  GaAs ,  高品質 ,  二次元電子ガス