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J-GLOBAL ID：200902100989798738   Reference number：02A0634518

Strained Si/SiGe n-channel MOSFETs: Impact of cross-hatching on device performance.

歪んだSi/SiGeによって構成されるnチャンネルMOSFET 素子の性能に対するクロスハッチングの効果

Author (8)： OLSEN S H (Univ. Newcastle, Newcastle upon Tyne, GBR) ,  O'NEILL A G (Univ. Newcastle, Newcastle upon Tyne, GBR) ,  NORRIS D J (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  CULLIS A G (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  WOODS N J (Imperial Coll. Sci., Technol. and Medicine, London, GBR) ,  ZHANG J (Imperial Coll. Sci., Technol. and Medicine, London, GBR) ,  FOBELETS K (Imperial Coll. Sci., Technol. and Medicine, London, GBR) ,  KEMHADJIAN H A (Univ. Southampton, Southampton, GBR)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 17  Issue： 7  Page： 655-661  Publication year： Jul. 2002 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： cross hatching ,...

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JST classification (3)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： Si ,  SiGe ,  nチャンネルMOSFET