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J-GLOBAL ID：200902101116151033   Reference number：96A0624870

Coulomb blockade oscillations at room temperature in a Si quantum wire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor fabricated by anisotropic etching on a silicon-on-insulator substrate.

絶縁体基板上シリコンの異方性エッチングによって作製したSi量子細線金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける室温Coulombブロッケード振動

Author (6)： ISHIKURO H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  FUJII T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HASHIGUCHI G (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IKOMA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 68  Issue： 25  Page： 3585-3587  Publication year： Jun. 17, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (10)： 絶縁体 ,  シリコン ,  異方性エッチング ,  作製 ,  Si ,  量子細線 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  室温 ,  Coulombブロッケード