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J-GLOBAL ID：200902101310575707   Reference number：99A0923109

Doping in semiconductors.

半導体材料・プロセスの物理と設計 半導体への不純物ドーピング

Author (1)： OKUMURA TSUGUNORI (東京都大)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 68  Issue： 9  Page： 1054-1059  Publication year： Sep. 10, 1999 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor material ,...
Semi thesaurus term： 水素様イオン

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Reference (34)：

• PHILLIPS, J. C. Bands and Bonds in Semiconductors. 1973
• HARRISON, W. A. Electronic Structure and Properties of Solids:The Physics of Chemical Bonds. 1980
• KOHN, W. Solid State Phys. 1957, 5, 257
• KOHN, W. Phys.Rev. 1955, 98, 915
• BALDARESCHI, A. Phys.Rev. 1974, B9, 1525

Terms in the title (6)： 半導体材料 ,  プロセス ,  物理 ,  設計 ,  不純物 ,  ドーピング