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J-GLOBAL ID：200902101319451440   Reference number：95A0654799

Enhancement and suppression of the formation of porous silicon.

多孔質シリコン形成の増強と抑制

Author (5)： DUTTAGUPTA S P (Univ. Rochester, New York) ,  PENG C (Univ. Rochester, New York) ,  FAUCHET P M (Univ. Rochester, New York) ,  KURINEC S K (Rochester Inst. Technol., New York) ,  BLANTON T N (Eastman Kodak Co., New York)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 13  Issue： 3  Page： 1230-1235  Publication year： May. 1995 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： porous medium ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (2)： 多孔質シリコン ,  増強