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J-GLOBAL ID：200902101551074768   Reference number：98A0426429

The Relation Between Luminous Properties and Oxygen Content in ZnS: TbOF Thin-Film Electroluminescent Devices Fabricated by Radio-Frequency Magnetron Sputtering Method.

高周波マグネトロンスパッタ法により作製されたZnS:TbOF薄膜エレクトロルミネセンス素子における発光特性と酸素含有量の関係

Author (4)： WANG C W (I-Shou Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LIAO J Y (I-Shou Univ., Kaohsiung, TWN) ,  SU Y-K (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  YOKOYAMA M (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 45  Issue： 4  Page： 757-762  Publication year： Apr. 1998 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： electroluminescence ,...

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JST classification (2)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： 高周波マグネトロンスパッタ法 ,  作製 ,  ZnS ,  薄膜エレクトロルミネセンス ,  発光特性 ,  酸素含有量