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J-GLOBAL ID：200902101997659352   Reference number：94A0716398

Growth rate enhancement using ozone during rapid thermal oxidation of silicon.

シリコンの急速熱処理による酸化膜成長速度のオゾンによる促進

Author (3)： KAZOR A (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  GWILLIAM R (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  BOYD I W (Univ. Coll. London, London, GBR)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 65  Issue： 4  Page： 412-414  Publication year： Jul. 25, 1994 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： 急速熱酸化

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (6)： シリコン ,  急速熱処理 ,  酸化膜 ,  成長速度 ,  オゾン ,  促進