Art

J-GLOBAL ID：200902102529246870   Reference number：00A0329507

Annihilation and formation of electron traps in hydrogen-implanted n-type silicon by light illumination.

光照射によりn型シリコンに注入された水素の電子トラップの消滅と生成

Author (2)： TOKUDA Y (Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN) ,  ITO A (Suzuka National Coll. Technol., Suzuka, JPN)
Material： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Mater Sci Eng B)
Volume： B71  Page： 1-5  Publication year： Feb. 14, 2000 
JST Material Number： T0553A  ISSN： 0921-5107  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (5)： 光照射 ,  N型シリコン ,  注入 ,  水素 ,  電子トラップ