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J-GLOBAL ID：200902102838641457   Reference number：98A0728671

Ga-rich GaP(001)(2×4) surface structure studied by low-energy ion scattering spectroscopy.

低速イオン散乱分光法によるGa濃縮GaP(001)(2×4)表面構造の研究

Author (6)： NAITOH M (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  KONISHI A (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  INENAGA H (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  NISHIGAKI S (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  OISHI N (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  SHOJI F (Kyushu Kyoritsu Univ., Kitakyushu, JPN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 402/404  Issue： 1/3  Page： 623-627  Publication year： May. 15, 1998 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium phosphide ,...

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JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (6)： 低速イオン散乱分光法 ,  Ga ,  濃縮 ,  GAP ,  表面構造 ,  研究