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J-GLOBAL ID：200902103380327290   Reference number：00A0283083

Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells.

ウルツ鉱型の歪GaInP/GaNヘテロ構造および量子井戸における圧電効果の方位依存性の理論的研究

Author (3)： TAKEUCHI T (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO H (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI I (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 2A  Page： 413-416  Publication year： Feb. 15, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (2)： Piezoelectricity,pyroelectricity,electret  (BM05040M) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Reference (24)：

• 1) I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike and H. Amano: Electron. Lett. 32 (1996) 1105.
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74.
• 3) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
• 4) A. D. Bykhovski, V. V. Kaminski, M. S. Shur, Q. C. Chen and M. A. Khan: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 818.
• 5) F. Bernardini, V. Fiorentini and D. Vanderbilt: Phys. Rev. B 56 (1997) R10024.

Terms in the title (10)： ウルツ鉱 ,  歪 ,  GaInP ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  量子井戸 ,  圧電効果 ,  方位依存性 ,  理論 ,  研究