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J-GLOBAL ID：200902104048000640   Reference number：00A0667190

Impact of Electron and Hole Inversion-Layer Capacitance on Low Voltage Operation of Scaled n- and p-MOSFET’s.

縮尺されたn-およびp-MOSFETの低電圧動作におよぼす電子および正孔反転層の影響

Author (3)： TAKAGI S (Advanced LSI Technol. Lab., Yokohama, JPN) ,  TAKAYANAGI M (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TORIUMI A (Advanced LSI Technol. Lab., Yokohama, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 47  Issue： 5  Page： 999-1005  Publication year： May. 2000 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 縮尺 ,  MOSFET ,  低電圧 ,  電子 ,  正孔 ,  反転層