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J-GLOBAL ID：200902104083948860   Reference number：00A0164508

Radiation-induced lattice defects in InGaAsP laser diodes and their effects on device performance.

InGaAsPレーザダイオード中の放射誘起格子欠陥とデバイス性能についてのそれらの効果

Author (9)： OHYAMA H (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  SIMOEN E (IMEC, Leuven, BEL) ,  CLAEYS C (IMEC, Leuven, BEL) ,  HAKATA T (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  YONEOKA M (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  KOBAYASHI K (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  NAKABAYASHI M (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  TAKAMI Y (Rikkyo Univ., Kanagawa, JPN) ,  SUNAGA H (Takasaki JAERI, Gunma, JPN)
Material： Physica B. Condensed Matter  (Phys B Condens Matter)
Volume： 273/274  Page： 1031-1033  Publication year： Dec. 1999 
JST Material Number： H0676B  ISSN： 0921-4526  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (5)： InGaAsP ,  レーザダイオード ,  放射 ,  誘起 ,  格子欠陥