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J-GLOBAL ID：200902104680607429   Reference number：96A0555497

Atomic layer controlled deposition of silicon nitride with self-limiting mechanism.

自己律速機構による窒化シリコンの原子層制御蒸着

Author (3)： GOTO H (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  SHIBAHARA K (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  YOKOYAMA S (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 68  Issue： 23  Page： 3257-3259  Publication year： Jun. 03, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon nitride ,...

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JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (5)： 自己 ,  律速 ,  窒化シリコン ,  原子層 ,  蒸着