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J-GLOBAL ID：200902105249893852   Reference number：02A0278728

Acceptor Densities and Acceptor Levels in Undoped GaSb Determined by Free Carrier Concentration Spectroscopy.

自由キャリア濃度分光法により決定したアンドープGaSb中のアクセプタ密度とアクセプタ準位

Author (6)： MATSUURA H (Osaka Electro-Communication Univ., Osaka, JPN) ,  MORITA K (Osaka Electro-Communication Univ., Osaka, JPN) ,  NISHIKAWA K (Osaka Electro-Communication Univ., Osaka, JPN) ,  MIZUKOSHI T (Osaka Electro-Communication Univ., Osaka, JPN) ,  SEGAWA M (Osaka Electro-Communication Univ., Osaka, JPN) ,  SUSAKI W (Osaka Electro-Communication Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 41  Issue： 2A  Page： 496-500  Publication year： Feb. 15, 2002 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium antimonide ,...

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JST classification (1)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Reference (21)：

• 1) G. W. Turner, H. K. Choi and M. J. Manfra: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 876.
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• 3) R. D. Baxter, F. J. Reid and A. C. Beer: Phys. Rev. 162 (1967) 718.
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• 5) R. A. Noack, W. Rühle and T. N. Morgan: Phys. Rev. B 18 (1978) 6944.

Terms in the title (6)： キャリア濃度 ,  分光法 ,  GaSb ,  アクセプタ ,  密度 ,  アクセプタ準位