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J-GLOBAL ID：200902106477779381   Reference number：99A0609634

Real-Time Observation of Ellipsometry Oscillation during GaAs Layer by Layer Growth by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy.

有機金属化合物気相エピタキシーによるGaAsの積層成長中のエリプソメトリー振動の実時間観測

Author (3)： LEE J-S (Tsukuba Res. Consortium, Tsukuba, JPN) ,  SUGOU S (Tsukuba Res. Consortium, Tsukuba, JPN) ,  MASUMOTO Y (Tsukuba Res. Consortium, Tsukuba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 6A/B  Page： L614-L616  Publication year： Jun. 15, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： epitaxy ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (3)： Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Polarimetry and polarimeters  (BD07050K)

Reference (9)：

• 1) J. H. Neave, B. A. Joyce, P. J. Dobson and N. Norton: Appl. Phys. A 83 (1983) 1.
• 2) T. Sakamoto, N. J. Kawai, T. Nakagawa, K. Ohta and T. Kojima: Appl. Phys. Lett. 47 (1985) 617.
• 3) D. E. Aspnes: Surf. Sci. 307 (1994) 1017.
• 4) I. Kamiya, D. E. Aspnes, H. Tanaka, L. T. Florez, J. P. Harbison and R. Bhat: Phys. Rev. Lett. 68 (1992) 627.
• 5) T. Makimoto, Y. Yamauchi, N. Kobayashi and Y. Horikoshi: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L645.

Terms in the title (7)： 有機金属化合物 ,  気相エピタキシー ,  GaAs ,  成長 ,  エリプソメトリー ,  実時間 ,  観測