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J-GLOBAL ID：200902106722751676   Reference number：95A0818814

Two-dimensional electron gas in GaN-AlGaN heterostructures deposited using trimethylamine-alane as the aluminum source in low pressure metalorganic chemical vapor deposition.

低圧有機金属化学蒸着においてアルミニウム原料としてトリメチルアミンアランを用いて成長させたGaN-AlGaNヘテロ構造中の2次元電子ガス

Author (5)： KHAN M A (APA Optics, Inc., Minnesota) ,  CHEN Q (APA Optics, Inc., Minnesota) ,  SUN C J (APA Optics, Inc., Minnesota) ,  SHUR M (Univ. Virginia, Virginia) ,  GELMONT B (Univ. Virginia, Virginia)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 67  Issue： 10  Page： 1429-1431  Publication year： Sep. 04, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (10)： 低圧 ,  有機金属化学蒸着 ,  アルミニウム ,  原料 ,  トリメチルアミンアラン ,  成長 ,  GaN ,  AlGaN ,  ヘテロ構造 ,  2次元電子ガス