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J-GLOBAL ID：200902106816203478   Reference number：00A0637636

Er-related luminescence from self-assembled InAs quantum dots doped with Er by organometallic vapor-phase epitaxy.

有機金属気相エピタクシーで作製したErドープ自己集合InAs量子ドットからのEr関連ルミネセンス

Author (7)： FUJIWARA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KAWAMOTO T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  FUCHI S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ICHIDA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NONOGAKI Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKAMURA A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Journal of Luminescence  (J Lumin)
Volume： 87/89  Page： 326-329  Publication year： May. 2000 
JST Material Number： D0731A  ISSN： 0022-2313  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (7)： 有機金属気相エピタクシー ,  作製 ,  Er ,  ドープ ,  自己集合 ,  InAs量子ドット ,  ルミネセンス