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J-GLOBAL ID：200902107132942367   Reference number：98A0793833

Self-organization of GaN/Al_0.18Ga_0.82N multi-layer nano-columns on (0001) Al₂O₃ by RF molecular beam epitaxy for fabricating GaN quantum disks.

GaN量子ディスクを製造するためのRF分子線エピタキシー法による(0001)Al₂O₃上のGaN/Al_0.18Ga_0.82N多層ナノカラムの自己組織化

Author (6)： YOSHIZAWA M (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KIKUCHI A (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  FUJITA N (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KUSHI K (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  SASAMOTO H (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KISHINO K (Sophia Univ., Tokyo, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 189/190  Page： 138-141  Publication year： Jun. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： GaN ,  量子ディスク ,  RF分子線エピタキシー ,  Al2O3 ,  多層 ,  ナノカラム ,  自己組織化