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J-GLOBAL ID：200902107472837290   Reference number：96A0902393

Oxide Thin Film Diode Fabricated by Liquid-Phase Method.

液相法で製作した酸化物薄膜ダイオード

Author (3)： OHYA Y (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  UEDA M (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  TAKAHASHI Y (Gifu Univ., Gifu, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 35  Issue： 9A  Page： 4738-4742  Publication year： Sep. 1996 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： junction diode ,...
Semi thesaurus term： interface state ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Diodes  (NC03050R)

Reference (13)：

• TAKAHASHI, Y. Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 1992, 271, 401
• FURUSAKI, T. J.Ceram.Soc.Jpn. 1994, 102, 200
• FURUSAKI, T. High Performance Ceramic Films and Coatings. 1991, 241
• TAKAHASHI, Y. J.Electrochem.Soc. 1990, 137, 267
• OHYA, Y. J.Mater.Soc. 1994, 29, 4099

Terms in the title (4)： 液相 ,  製作 ,  酸化物薄膜 ,  ダイオード