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J-GLOBAL ID：200902107620299708   Reference number：95A0605368

A 0.29-μm² MIM-CROWN Cell and Process Technologies for 1-Gigabit DRAMs.

1ギガビットDRAM用0.29μm² MIM-CROWNセルとプロセス技術

Author (9)： KAGA T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  SUDOH Y (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KISU T (Hitachi VLSI Engineering Corp., Tokyo, JPN) ,  YAMASHITA H (Hitachi VLSI Engineering Corp., Tokyo, JPN) ,  NAGAI R (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  IIJIMA S (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHKURA M (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  ISODA M (Hitachi VLSI Engineering Corp., Tokyo, JPN) ,  TAKEDA E (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1994  Page： 927-929  Publication year： 1994 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： DRAM ,...

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JST classification (2)： Memory units  (JC04060F) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： ギガビット ,  DRAM ,  MIM ,  セル ,  プロセス