Art

J-GLOBAL ID：200902107741074770   Reference number：98A0793916

Precise control of pn-junction profiles for GaN-based LD structures using GaN substrates with low dislocation densities.

転位密度の低いGaN基板によるGaN系LD構造のpn接合特性の高精度制御

Author (5)： KURODA N (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SASAOKA C (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KIMURA A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  USUI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  MOCHIZUKI Y (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 189/190  Page： 551-555  Publication year： Jun. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： 転位密度 ,  GaN ,  LD ,  PN接合