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J-GLOBAL ID：200902108372596799   Reference number：02A0737249

Interdigitated Ge p-i-n Photodetectors Fabricated on a Si Substrate Using Graded SiGe Buffer Layers.

傾斜SiGeバッファ層を用いてSi基板上に作製したインタディジタルGe pin光検出器

Author (8)： OH J (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  CAMPBELL J C (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  THOMAS S G (Motorola, AZ, USA) ,  BHARATAN S (Motorola, AZ, USA) ,  THOMA R (Motorola, AZ, USA) ,  JASPER C (Motorola, AZ, USA) ,  JONES R E (Motorola, TX, USA) ,  ZIRKLE T E (Motorola, AZ, USA)
Material： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE J Quantum Electron)
Volume： 38  Issue： 9  Page： 1238-1241  Publication year： Sep. 2002 
JST Material Number： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Photodetectors  (NC03083X) ,  Infrared photometry and photodetectors  (BD07032W)

Terms in the title (6)： SiGe ,  バッファ層 ,  Si基板 ,  作製 ,  Ge ,  光検出器