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J-GLOBAL ID：200902108998181299   Reference number：01A0912596

GaAs dot-wire coupled structures grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy and their application to single electron devices.

選択領域有機金属気相エピタクシーで成長させたGaAsのドット-線結合構造とその単一電子デバイスへの応用

Author (4)： NAKAJIMA F (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  OGASAWARA Y (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MOTOHISA J (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUI T (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 90  Issue： 5  Page： 2606-2611  Publication year： Sep. 01, 2001 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  GaAs ,  ドット ,  単一電子デバイス ,  応用