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J-GLOBAL ID：200902109901712690   Reference number：95A0722365

In situ fabrication of self-aligned InGaAs quantum dots on GaAs multiatomic steps by metalorganic chemical vapor deposition.

有機金属化学蒸着によるGaAs多原子ステップへの自己整列InGaAs量子ドットのその場作製

Author (4)： KITAMURA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIOKA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OSHINOWO J (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ARAKAWA Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 66  Issue： 26  Page： 3663-3665  Publication year： Jun. 26, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (6)： 有機金属化学蒸着 ,  GaAs ,  自己整列 ,  InGaAs ,  量子ドット ,  作製