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J-GLOBAL ID：200902111452801718   Reference number：98A0660140

Comprehensive characterization of metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors fabricated on single-crystal GaN.

単結晶GaN上に作製した金属-半導体-金属紫外光検出器の総合特性評価

Author (6)： CARRANO J C (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  LI T (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  GRUDOWSKI P A (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  EITING C J (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  DUPUIS R D (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  CAMPBELL J C (Univ. Texas at Austin, Texas)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 83  Issue： 11, Pt.1  Page： 6148-6160  Publication year： Jun. 01, 1998 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： transient property

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JST classification (2)： Photometry and photodetectors in general  (BD07031F) ,  Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (7)： 単結晶 ,  GaN ,  作製 ,  紫外光 ,  検出器 ,  総合 ,  特性評価