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J-GLOBAL ID：200902112045584806   Reference number：99A0935995

Sharp Transmission Coefficient in GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes with (411)A Superflat Interfaces Grown by Molecular Beam Epitaxy.

分子ビームエピタクシーによって成長させた(411)A超フラットな界面を持つGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの鋭い透過係数

Author (3)： SHINOHARA K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMOMURA S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HIYAMIZU S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 38  Issue： 9A  Page： 5037-5039  Publication year： Sep. 15, 1999 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Diodes  (NC03050R)

Reference (8)：

• 1) S. Shimomura, A. Wakejima, A. Adachi, Y. Okamoto, N. Sano, K. Murase and S. Hiyamizu: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L1728.
• 2) S. Hiyamizu, S. Shimomura, A. Wakejima, S. Kaneko, A. Adachi, Y. Okamoto, N. Sano and K. Murase: J. Vac. Sci. & Technol. B 12 (1994) 1043.
• 3) S. Shimomura, S. Kaneko, T. Motokawa, K. Shinohara, A. Adachi, Y. Okamoto, N. Sano, K. Murase and S. Hiyamizu: J. Cryst. Growth 150 (1995) 409.
• 4) K. Shinohara, Y. Shimizu, S. Shimomura, Y. Okamoto, N. Sano and S. Hiyamizu: Physica E 2 (1998) 166.
• 5) K. Shinohara, K. Kasahara, S. Shimomura, A. Adachi, N. Sano and S. Hiyamizu: J. Cryst. Growth. 175/176 (1997) 924.

Terms in the title (8)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  フラット ,  界面 ,  GaAs ,  AlAs ,  共鳴トンネルダイオード ,  透過係数