Art

J-GLOBAL ID：200902113409277650   Reference number：01A0247921

Back Gate Effects on Threshold Voltage Sensitivity to SOI Thickness in Fully-Depleted SOI MOSFETs.

完全空乏化SOI MOSFETのしきい値電圧のSOI厚み敏感性に関するバックゲート効果

Author (7)： NOGUCHI M (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  NUMATA T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MITANI Y (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SHINO T (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN) ,  KAWANAKA S (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN) ,  OOWAKI Y (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN) ,  TORIUMI A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 22  Issue： 1  Page： 32-34  Publication year： Jan. 2001 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： vulnerability

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0247921&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0344B") }}

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： SOI ,  MOSFET ,  しきい値電圧 ,  厚み ,  敏感性 ,  バック ,  ゲート効果