Art

J-GLOBAL ID：200902113705186872   Reference number：02A0882094

Fused InGaAs-Si Avalanche Photodiodes With Low-Noise Performances.

低雑音特性を示す融合InGaAs-Siアバランシェフォトダイオード

Author (9)： KANG Y (Univ. California, CA, USA) ,  MAGES P (Univ. California, CA, USA) ,  CLAWSON A R (Univ. California, CA, USA) ,  YU P K L (Univ. California, CA, USA) ,  BITTER M (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  PAN Z (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  PAUCHARD A (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  HUMMEL S (Nova Crystals, Inc., CA, USA) ,  LO Y H (Nova Crystals, Inc., CA, USA)
Material： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Transactions Photonics Technology Letters)
Volume： 14  Issue： 11  Page： 1593-1595  Publication year： Nov. 2002 
JST Material Number： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： photodetector ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0882094&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0721A") }}

JST classification (2)： Other optical transmission devices  (BD06040S) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (5)： 雑音特性 ,  融合 ,  InGaAs ,  Si ,  アバランシェフォトダイオード