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J-GLOBAL ID：200902113705417467   Reference number：96A0672533

Microwave Operation of GaN/AlGaN-Doped Channel Heterostructure Field Effect Transistors.

GaN/AlGaNドープチャネルヘテロ構造電界効果トランジスタのマイクロ波動作

Author (6)： KHAN M A (APA Inc., MN, USA) ,  CHEN Q (APA Inc., MN, USA) ,  YANG J W (APA Inc., MN, USA) ,  SHUR M S (Univ. Virginia, VA, USA) ,  DERMOTT B T (Rockwell Sci. Center, CA, USA) ,  HIGGINS J A (Rockwell Sci. Center, CA, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 17  Issue： 7  Page： 325-327  Publication year： Jul. 1996 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： heterojunction ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： GaN ,  AlGaN ,  電界効果トランジスタ ,  マイクロ波