Art

J-GLOBAL ID：200902114195552700   Reference number：99A0425485

Fabrication and Characteristics Evaluation of CoSi₂-Gate MOS Electron Tunneling Emission Cathode.

CoSi₂>ゲートMOS電子トンネル放射陰極の作製と特性評価

Author (5)： ZHANG Y-Q (Kyushu Univ.) ,  KENJO A (Kyushu Univ.) ,  SADOH T (Kyushu Univ.) ,  NAKASHIMA H (Advanced Sci. and Technol. Center for Cooperative Res.) ,  TSURUSHIMA T (Kyushu Univ.)
Material： 九州大学大学院システム情報科学研究科報告  (Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University)
Volume： 4  Issue： 1  Page： 43-46  Publication year： Mar. 26, 1999 
JST Material Number： L3016A  ISSN： 1342-3819  Document type： Article
Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： ゲート ,  トンネル ,  放射 ,  陰極 ,  作製 ,  特性評価