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J-GLOBAL ID:200902114687850464   Reference number:99A0547562

(411)A InP基板上にMBE成長したSi変調ドープInGaAs/InAlAs歪量子井戸 (3) Si-δドープした試料における2次元電子濃度と移動度

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Volume: 46th  Issue:Page: 1354  Publication year: Mar. 28, 1999 
JST Material Number: Y0054A  Document type: Proceedings
Country of issue: Japan (JPN)  Language: JAPANESE (JA)

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