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J-GLOBAL ID：200902115607388559   Reference number：00A0951989

Very small temperature-dependent band-gap energy in TllnGaAs/InP double heterostructures grown by gas-source molecular-beam epitaxy.

ガス源分子ビームエピタクシーで成長させたTlInGaAs/InP二重ヘテロ構造における非常に微細な温度に依存するバンドギャップエネルギー

Author (7)： AYABE A (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAHI H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  LEE H J (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MAEDA O (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KONISHI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAMI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  GONDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 77  Issue： 14  Page： 2148-2150  Publication year： Oct. 02, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...
Semi thesaurus term： *forbidden band

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (5)： ガス源分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  InP ,  ヘテロ構造 ,  バンドギャップエネルギー