Art

J-GLOBAL ID：200902115950845272   Reference number：99A0459390

Improvements of the SiC Homoepitaxy Process in a Horizontal Cold-Wall CVD Reactor.

水平型冷壁CVD反応炉におけるSiCホモエピタクシープロセスの改良

Author (3)： WISCHMEYER F (Daimler-Benz AG, Frankfurt, DEU) ,  NIEMANN E (Daimler-Benz AG, Frankfurt, DEU) ,  HARTNAGEL H L (Technical Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 28  Issue： 3  Page： 175-179  Publication year： Mar. 1999 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,...

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JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： 水平型 ,  CVD ,  SiC ,  ホモエピタクシー ,  プロセス