Art

J-GLOBAL ID：200902116995790270   Reference number：02A0124018

Growth of SiC epitaxial layers on porous surfaces of varying porosity.

種々の間隙率の多孔質表面上へのSiCエピタキシャル層の成長

Author (5)： SADDOW S E (Univ. South Florida, FL, USA) ,  MYNBAEVA M (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  SMITH M C D (Emerging Materials Res. Lab., MS, USA) ,  SMIRNOV A N (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  DIMITRIEV V (TDI, Inc., MD, USA)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 184  Issue： 1/4  Page： 72-78  Publication year： Dec. 12, 2001 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： void

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0124018&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 間隙率 ,  多孔質 ,  SiC ,  エピタキシャル層 ,  成長