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J-GLOBAL ID：200902117765925963   Reference number：01A0830263

Electron-stimulated surface stress relaxation of Si.

Siに関する電子誘導表面応力緩和

Author (4)： NARUSHIMA T (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  ITAKURA A N (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  KAWABE T (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KITAJIMA M (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 79  Issue： 5  Page： 605-607  Publication year： Jul. 30, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (1)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (5)： Si ,  電子 ,  誘導 ,  表面応力 ,  緩和