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J-GLOBAL ID：200902118176678758   Reference number：96A0627913

Biexciton Luminescence from GaN Epitaxial Layers.

GaNエピタキシャル層からの励起子分子ルミネセンス

Author (8)： OKADA K (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  YAMADA Y (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TAGUCHI T (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  SASAKI F (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  TANI T (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA S (Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN) ,  SHINOMIYA G (Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 35  Issue： 6B  Page： L787-L789  Publication year： Jun. 15, 1996 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： photoluminescence ,...

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JST classification (3)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Excitons  (BM02120E) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (14)：

• NAKAMURA, S. Appl.Phys.Lett. 1994, 64, 1687
• NAKAMURA, S. Appl.Phys.Lett. 1995, 67, 1868
• AKASAKI, I. Jpn.J.Appl.Phys. 1995, 34, L1517
• NAKAMURA, S. Jpn.J.Appl.Phys. 1996, 35, L74
• HARRIS, C. I. Appl.Phys.Lett. 1995, 67, 840

Terms in the title (4)： GaN ,  エピタキシャル層 ,  励起子分子 ,  ルミネセンス